商品目录功率MOSFETFET 类型N 通道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）40 V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)200A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）1.5 毫欧 @ 50A，10V不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）2V @ 250µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）70 nC @ 10 VVgs（最大值）±20V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）4300 pF @ 20 VFET 功能-功率耗散（最大值）3.8W（Ta），110W（Tc）工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）...