NTH4L040N65S3F

制造商:onsemi产品种类:MOSFET技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-247-4晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:650 VId-连续漏极电流:65 ARds On-漏源导通电阻:40 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 VVgs th-栅源极阈值电压:3 VQg-栅极电荷:158 nC最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 150 C
货号:
38752
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onsemi
产品种类:MOSFET
Si
Through Hole
TO-247-4
N-Channel
1 Channel
650 V
65 A
40 mOhms
- 30 V, + 30 V
3 V
158 nC
- 55 C
+ 150 C






































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