NTHL099N60S5

制造商:onsemi产品种类:MOSFET技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-247-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:600 VId-连续漏极电流:33 ARds On-漏源导通电阻:99 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 30 V, + 30 VVgs th-栅源极阈值电压:4 VQg-栅极电荷:48 nC最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 150 C
货号:
38744
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onsemi
产品种类:MOSFET
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
600 V
33 A
99 mOhms
- 30 V, + 30 V
4 V
48 nC
- 55 C
+ 150 C






























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