FDD86110

制造商:onsemi产品种类:MOSFET技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:DPAK-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:100 VId-连续漏极电流:12.5 ARds On-漏源导通电阻:10.2 mOhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:2 VQg-栅极电荷:35 nC最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 150 C
货号:
38726
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onsemi
产品种类:MOSFET
Si
SMD/SMT
DPAK-3
N-Channel
1 Channel
100 V
12.5 A
10.2 mOhms
- 20 V, + 20 V
2 V
35 nC
- 55 C
+ 150 C













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