TC4426EOA
商品目录集成电路(芯片)驱动配置低压侧FET类型独立式驱动器数2栅极类型N 沟道,P 沟道 MOSFET电压-电源4.5 V ~ 18 V逻辑电压 -VIL，VIH0.8V,2.4V电流-峰值输出（灌入，拉出）1.5A,1.5A输入类型反相上升/下降时间（典型值）19ns,19ns工作温度-40°C ~ 150°C(TJ)封装/外壳8-SOIC
货号：
37479
描述
| 商品目录 | 集成电路(芯片) | |
|---|---|---|
| 驱动配置 | 低压侧 | |
| FET类型 | 独立式 | |
| 驱动器数 | 2 | |
| 栅极类型 | N 沟道,P 沟道 MOSFET | |
| 电压-电源 | 4.5 V ~ 18 V | |
| 逻辑电压 -VIL，VIH | 0.8V,2.4V | |
| 电流-峰值输出（灌入，拉出） | 1.5A,1.5A | |
| 输入类型 | 反相 | |
| 上升/下降时间（典型值） | 19ns,19ns | |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) | |
| 封装/外壳 | 8-SOIC |
