TC4432EOA

商品目录集成电路(芯片)驱动配置高压侧或低压侧FET类型单路驱动器数1 Ohms栅极类型N 沟道,P 沟道 MOSFET电压-电源4.5 V ~ 30 V逻辑电压 -VIL,VIH0.8V,2.4V电流-峰值输出(灌入,拉出)1.5A,1.5A输入类型非反相上升/下降时间(典型值)25ns,33ns工作温度-40°C ~ 150°C(TJ)封装/外壳8-SOIC
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37440
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商品目录集成电路(芯片)
驱动配置高压侧或低压侧
FET类型单路
驱动器数1 Ohms
栅极类型N 沟道,P 沟道 MOSFET
电压-电源4.5 V ~ 30 V
逻辑电压 -VIL,VIH0.8V,2.4V
电流-峰值输出(灌入,拉出)1.5A,1.5A
输入类型非反相
上升/下降时间(典型值)25ns,33ns
工作温度-40°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳8-SOIC







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