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商品目录集成电路(芯片)驱动配置低压侧FET类型独立式驱动器数2栅极类型N 沟道,P 沟道 MOSFET电压-电源4.5 V ~ 18 V逻辑电压 -VIL,VIH0.8V,2V电流-峰值输出(灌入,拉出)2A,2A输入类型非反相上升/下降时间(典型值)25ns,20ns工作温度0°C ~ 70°C(TA)封装/外壳8-PDIP
货号:
37005
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商品目录集成电路(芯片)
驱动配置低压侧
FET类型独立式
驱动器数2
栅极类型N 沟道,P 沟道 MOSFET
电压-电源4.5 V ~ 18 V
逻辑电压 -VIL,VIH0.8V,2V
电流-峰值输出(灌入,拉出)2A,2A
输入类型非反相
上升/下降时间(典型值)25ns,20ns
工作温度0°C ~ 70°C(TA)
封装/外壳8-PDIP








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