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商品目录集成电路(芯片)驱动配置低压侧FET类型独立式驱动器数2栅极类型N 沟道 MOSFET电压-电源4 V ~ 14 V逻辑电压 -VIL,VIH0.8V,2.1V电流-峰值输出(灌入,拉出)4A,4A输入类型反相上升/下降时间(典型值)40ns,25ns工作温度-40°C ~ 150°C(TJ)封装/外壳8-SOIC
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36793
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商品目录集成电路(芯片)
驱动配置低压侧
FET类型独立式
驱动器数2
栅极类型N 沟道 MOSFET
电压-电源4 V ~ 14 V
逻辑电压 -VIL,VIH0.8V,2.1V
电流-峰值输出(灌入,拉出)4A,4A
输入类型反相
上升/下降时间(典型值)40ns,25ns
工作温度-40°C ~ 150°C(TJ)
封装/外壳8-SOIC

















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