DRDNB16W-7
商品目录继电器驱动器系列DRDN高度1 mm长度2.2 mm宽度1.35 mm配置Single直流集电极/BaseGainhfeMin56峰值直流集电极电流600 mA发射极-基极电压VEBO5 V集电极—发射极最大电压VCEO18 V典型输入电阻器1 kOhms电阻器-基底(R1)(欧姆)1k电阻器-发射极基底(R2)(欧姆)10k不同 Ic,Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)56 @ 50mA,5V不同 Ib,Ic时的 Vce饱和值(最大值)300mV @ 2.5mA,50mA电流-集电极截止(最大值)500nA频率-跃迁200MHz功率1/5W封装/外壳SOT-363FET类型NPN集电极最大允许电流Ic600mA集电极_发射极击穿电压VCEO50V工作温度-55°C ~ 150°C...
货号:
35665
描述
商品目录 | 继电器驱动器 | |
---|---|---|
系列 | DRDN | |
高度 | 1 mm | |
长度 | 2.2 mm | |
宽度 | 1.35 mm | |
配置 | Single | |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 56 | |
峰值直流集电极电流 | 600 mA | |
发射极-基极电压VEBO | 5 V | |
集电极—发射极最大电压VCEO | 18 V | |
典型输入电阻器 | 1 kOhms | |
电阻器-基底(R1)(欧姆) | 1k | |
电阻器-发射极基底(R2)(欧姆) | 10k | |
不同 Ic,Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 56 @ 50mA,5V | |
不同 Ib,Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 300mV @ 2.5mA,50mA | |
电流-集电极截止(最大值) | 500nA | |
频率-跃迁 | 200MHz | |
功率 | 1/5W | |
封装/外壳 | SOT-363 | |
FET类型 | NPN | |
集电极最大允许电流Ic | 600mA | |
集电极_发射极击穿电压VCEO | 50V | |
工作温度 | -55°C ~ 150°C |