DRDNB16W-7

商品目录继电器驱动器系列DRDN高度1 mm长度2.2 mm宽度1.35 mm配置Single直流集电极/BaseGainhfeMin56峰值直流集电极电流600 mA发射极-基极电压VEBO5 V集电极—发射极最大电压VCEO18 V典型输入电阻器1 kOhms电阻器-基底(R1)(欧姆)1k电阻器-发射极基底(R2)(欧姆)10k不同 Ic,Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)56 @ 50mA,5V不同 Ib,Ic时的 Vce饱和值(最大值)300mV @ 2.5mA,50mA电流-集电极截止(最大值)500nA频率-跃迁200MHz功率1/5W封装/外壳SOT-363FET类型NPN集电极最大允许电流Ic600mA集电极_发射极击穿电压VCEO50V工作温度-55°C ~ 150°C...
货号:
35665
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商品目录继电器驱动器
系列DRDN
高度1 mm
长度2.2 mm
宽度1.35 mm
配置Single
直流集电极/BaseGainhfeMin56
峰值直流集电极电流600 mA
发射极-基极电压VEBO5 V
集电极—发射极最大电压VCEO18 V
典型输入电阻器1 kOhms
电阻器-基底(R1)(欧姆)1k
电阻器-发射极基底(R2)(欧姆)10k
不同 Ic,Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)56 @ 50mA,5V
不同 Ib,Ic时的 Vce饱和值(最大值)300mV @ 2.5mA,50mA
电流-集电极截止(最大值)500nA
频率-跃迁200MHz
功率1/5W
封装/外壳SOT-363
FET类型NPN
集电极最大允许电流Ic600mA
集电极_发射极击穿电压VCEO50V
工作温度-55°C ~ 150°C



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