HMC8038LP4CE

商品目录RF开关频率 - 下100MHz频率 - 上6GHz隔离 @ 频率60dB @ 100MHz(标准)插损 @ 频率0.8dB @ 6GHzIIP360dBm(标准)拓扑吸收电路SPDTP1dB36dBm阻抗50 欧姆工作温度-40°C ~ 105°C电压 - 电源3.3 V ~ 5 VRF 类型手机封装/外壳16-VQFN 裸露焊盘,CSP配置单单刀双掷典型单电源电压3 → 5.4 V引脚数目16电源类型单输入信号类型单端输出信号类型差分每片芯片通道数目2宽度4.1mm多路复用器结构1:2高度0.95mm开启时间150ns每个元件输入数目1 Ohms开关数量Dual开关配置SPDT工作频率100 MHz to 6 GHz介入损耗1.3 dB...
货号:
20920
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商品目录RF开关
频率 - 下100MHz
频率 - 上6GHz
隔离 @ 频率60dB @ 100MHz(标准)
插损 @ 频率0.8dB @ 6GHz
IIP360dBm(标准)
拓扑吸收
电路SPDT
P1dB36dBm
阻抗50 欧姆
工作温度-40°C ~ 105°C
电压 - 电源3.3 V ~ 5 V
RF 类型手机
封装/外壳16-VQFN 裸露焊盘,CSP
配置单单刀双掷
典型单电源电压3 → 5.4 V
引脚数目16
电源类型
输入信号类型单端
输出信号类型差分
每片芯片通道数目2
宽度4.1mm
多路复用器结构1:2
高度0.95mm
开启时间150ns
每个元件输入数目1 Ohms
开关数量Dual
开关配置SPDT
工作频率100 MHz to 6 GHz
介入损耗1.3 dB


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