制造商:Renesas Electronics产品种类:射频(RF)双极晶体管晶体管类型:Bipolar技术:Si晶体管极性:NPN工作频率:10000 MHz (Typ)直流集电极/Base Gain hfe Min:40集电极—发射极最大电压 VCEO:8 V发射极 - 基极电压 VEBO:5.5 V集电极连续电流:30 mA最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C