2SK1317-E
制造商:Renesas Electronics产品种类:MOSFET技术:Si安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-3P-3晶体管极性:N-Channel通道数量:1 ChannelVds-漏源极击穿电压:1.5 kVId-连续漏极电流:2.5 ARds On-漏源导通电阻:12 OhmsVgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 VVgs th-栅源极阈值电压:4 VQg-栅极电荷:-最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 150 C
货号：
30579
